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上海伯東 KRI 考夫曼離子束中和器

   日期:2022-04-12     瀏覽:222    
核心提示:簡介一般使用寬束的工業(yè)用KRI離子源,都會使用中和器來達到使用激發(fā)電子中和離子的目的。常用來做中和器的像是熱燈絲,電漿橋,

因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準。

KRI 考夫曼離子束中和器

簡介

一般使用寬束的工業(yè)用KRI離子源,都會使用中和器來達到使用激發(fā)電子中和離子的目的。常用來做中和器的像是熱燈絲,電漿橋,或是中空陰極。圖1的架構(gòu)可適用于有柵極及無柵極的離子源上。若是應(yīng)用在無柵極的離子源上,中和器稱為陰極中和器。標的物可以是濺鍍的靶材或是要被蝕刻的基材。在圖1的架構(gòu)上安裝一個電壓計,當作中和化的探針。

 

再結(jié)合
電子與具有動能的離子再結(jié)合,會變成具有動能的中性粒子。發(fā)生的壓力在1mtorr 以下。

 

空間充電中和化

在離子源中,電子的密度幾乎與離子的密度相當。在電漿物理中稱為"空間充電中和化 "或 "半中性 "。舉例而言,試想,一個具有 500 eV 的離子束,以 10 cm 直徑的回旋前進, 而電流密度為 1mA/cm2。假如沒有電子存在時,中心軸與離子束外緣的電位差會超過 14000 V。但是這樣的電位差對 500eV的離子而言是相當不真實的。事實上,電位差將會從 14000 V 降到 140 V,因為平均每 99 個電子將會被作為中和 100 個離子之用。以實驗來看,離子束的電位會隨著電子數(shù)的不足而增加。當離子電位相對外圍硬件有 200 V 的差異時,在離子源與硬件之間就會產(chǎn)生小小的電弧放電。這樣的放電效果可以提供足夠的電子,以避免電位的增加。這樣中和性的放電效應(yīng),可以視為在真空腔體內(nèi),在極短的時間內(nèi)放出1-2mm 長的閃電,進行中和的效果。當中和化的效果相當缺乏時,這樣的電弧放電就會持續(xù)進行,就會看到有明顯的電弧出現(xiàn)。這樣的電弧就會造成工件的損壞,甚至也會有明顯的顆粒沉積在工件上。

 

當離子能量小于 200 eV時,這樣的離子束會變得非常發(fā)散的,或者在離子束電位增加到足以產(chǎn)生中和化的電弧時,離子源將會終止反應(yīng)??偟膩碚f,當離子源在正常的情形下操作,離子束將會被空間充電中和化。即使,離子束的電位已經(jīng)足夠進行中和化的放電,在同一體積內(nèi),相同電子數(shù)與離子數(shù)的差異將會非常小。

 

中和電流

當激發(fā)的電子數(shù)目與離子數(shù)相當時,就表示達到中和電流。在有柵極的離子源中,中和電流是發(fā)生在中和器激發(fā)出的電流與離子束電流相當。而在無柵極的離子源中,則是發(fā)生在陰極中和器激發(fā)出的電流與發(fā)射電流相當。

陰極中和器在靶材電位上的激發(fā)電流效果,如圖2所示。這是一個無柵極式end-hall離子源,當發(fā)射電流為 5A 時,所得到的情形。靶材電位以圖1的方式量測。當中和電流(-2V)時,電位接近地位(grounding),當激發(fā)電流過多時,電位會緩慢的降低,但是激發(fā)電流不足時,電位就會快速增加。靶材的面積只有 2 cm2,距離離子源 30 cm。靶材的電位變化會大于靶材表面捕捉的離子束。與靶材的尺寸無關(guān),中和電流會造成電性絕緣的靶材接近最佳電位的效果。

 

實際條件:

接地的靶材,接地的腔體壁

假如靶材與地是相導(dǎo)通的,則中和化的需求就會比較單純。只要將被導(dǎo)體表面所吸附而損失的電子數(shù)量加以補充的話,就可以了。經(jīng)由離子與接地表面碰撞后所產(chǎn)生的二次電子,將會幫忙補充損失的電子,但是,通常都需要一些激發(fā)電流來避免中和化所產(chǎn)生的放電。建議,激發(fā)電流要在中和電流的 +/- 10%之內(nèi)。但是它不像是因為放電所造成的破壞,這會發(fā)生在沒有不足大于50%或是超過大于100%時。

 

電性絕緣靶材,接地的腔體壁

靶材有可能因為是介電質(zhì)材質(zhì),或是表面鍍了一層介電質(zhì),或是其他原因,所以變成電性的絕緣體。腔體壁或是濺鍍靶的遮蔽工件,一般認為是接地的。真空腔體里充滿了電荷交換的電漿。這樣的電漿提供了從離子束到腔體壁的電導(dǎo)性。在此建議,激發(fā)電流要比中和電流多 10%。若是靶材上的過量電荷沒有被中和的話,過量的激發(fā)電流將會被導(dǎo)引到腔體壁上。

 

對荷敏感的靶材,接地的腔體壁

這個應(yīng)用通常與前述的應(yīng)用相似。除非這個靶材也是對靜電荷的傷害也是很靈敏的。以初步的建議來說,激發(fā)電流應(yīng)該介于中和電流與其 5% 之間。依照 圖1 的方法來做電性絕緣靶材的電位檢查。從開始到結(jié)束,全程量測電位的變化,以作為制程的調(diào)整,避免傷害。假如傷害持續(xù)發(fā)生,靶材的電位應(yīng)維持與接地 +/- 5% 的范圍內(nèi),或者接近這個值。有時候你會發(fā)現(xiàn),即使激發(fā)電流超過 10-20%也不會有問題發(fā)生。假如離子束中含有氧離子,使用石墨當靶材,可以延遲因為石墨的鍍膜而形成介電層。

 

介電質(zhì)鍍膜,介電質(zhì)鍍在腔體壁上

在介電質(zhì)鍍膜中,介電質(zhì)通常都會鍍在腔體壁上。這樣的結(jié)果,這樣的電荷交換電漿就沒辦法提供過量的電子提供適當?shù)膶?dǎo)電路徑,且相當少量的激發(fā)電流電子出現(xiàn)時,會造成電漿的破壞。激發(fā)電流的值需要在中和電流的 +/-5%之內(nèi)。假如對顯示讀值有疑慮時,就要針對讀值做校正。假如可能的話,所有接地端,由其是與離子源靠近的地方,都可能會與電荷交換電漿做接觸。但是這樣的區(qū)域,將會因為鍍膜角度的關(guān)系被陰影遮蔽,或是成為濺鍍遮蔽的一部分。假如這樣區(qū)域可以維持的話,這樣就可以降低工件的損傷,也會增加超量激發(fā)電子的容許度。

 

故障排除

假如中和性的放電和靶材的損壞是明顯可見,但是操作條件又是正常的情形下,請檢查電流值。有時候在新機臺上會比較大的差異。熱燈絲中和器必須安置在離子源中,以提供適當?shù)碾娮咏o離子。其他類型的中和器則不會對放置位置有明顯的差異。


若您需要進一步的了解產(chǎn)品詳細信息或討論, 請聯(lián)絡(luò)上海伯東鄧女士, 分機134

 
 
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