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石墨烯+氮化硼,電子遷移率大幅提高

   日期:2015-09-29     瀏覽:249    
核心提示:石墨烯憑借其優(yōu)異的電學表現成為半導體產業(yè)有望替代硅基器件的前景材料,近年來在科學界引起了研究熱潮。如何將金屬性的石墨烯轉
 石墨烯憑借其優(yōu)異的電學表現成為半導體產業(yè)有望替代硅基器件的前景材料,近年來在科學界引起了研究熱潮。如何將金屬性的石墨烯轉變?yōu)檎嬲饬x具有帶隙的半導體,是石墨烯走向半導體市場的關鍵難題。

研究中,科學家發(fā)現自然界存在著一種白石墨,即氮化硼B(yǎng)N。它有許多和石墨類似的性質,與石墨烯截然不同,六方氮化硼HBN是優(yōu)良的絕緣體,研究人員發(fā)現,將大尺寸六方氮化硼HBN二維材料作為石墨烯的襯底可大幅提高石墨烯的電子遷移率,通過精確操控晶層堆疊方向的方式,極大地改變GBN異質結中的電子運轉方式,使這種材料真正具備了投入應用的實際價值。

巨納集團聯合荷蘭HQGraphene公司生產的氮化硼晶體,純度高達99.995%,目前還在研發(fā)純度更高、尺寸更大的氮化硼晶體,目前在市場中也取得了積極的響應,清華大學、南京大學等高校都已和巨納集團展開合作,部分結果發(fā)布在了Nature上。

據樂觀估計,在經過進一步的設計改進后,該材料將會應用于高頻電子設備的制造?;蛟S,推動這種多層復合材料系統(tǒng)在電子材料領域大展身手的時機即將成熟,電子材料領域迎來更新換代的時刻可能已經不再遙遠了。

 
 
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