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上海伯東 KRI 考夫曼離子源 KDC 10

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品牌: 美國KRI
單價: 面議
起訂: 1 臺
供貨總量: 10000 臺
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨
所在地: 上海
有效期至: 長期有效
最后更新: 2023-06-13 09:37
瀏覽次數(shù): 702
詢價
 
公司基本資料信息
詳細說明

因產(chǎn)品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準。



上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設備中, 例如預清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. <1000eV 低能量, Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設計, 低成本等優(yōu)點廣泛應用在顯微鏡領域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.

 

 KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術參數(shù):

型號

KDC 10

供電

DC magnetic   confinement

 - 陰極燈絲

1

 - 陽極電壓

0-100V DC

 - 柵極直徑

1cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和器

Filament,   Sidewinder Filament  LFN 1000

 - 架構

移動或快速法蘭

 - 高度

4.5'

 - 直徑

1.52'

 - 離子束

集中

平行

散設

 -加工材料

金屬

電介質(zhì)

半導體

 -工藝氣體

惰性

活性

混合

 -安裝距離

2-12”

 - 自動控制

控制4種氣體

 

KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應用領域:

離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP

濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC

輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD

表面改性, 激活 SM

離子濺射沉積和多層結構 IBSD

離子蝕刻 IBE


1978 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解考夫曼離子源, 請參考以下聯(lián)絡方式

上海伯東: 鄧小姐           

T: +86-21-5046-3511 ext 109   

F: +86-21-5046-1490     

M: +86 1391-883-7267     

臺灣伯東: 王小姐

T: +886-3-567-9508 ext 161

F: +886-3-567-0049

M: +886-939-653-958

現(xiàn)部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯(lián)絡上海伯東 鄧小姐 1391-883-7267
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