FIB (Focused Ion Beam) 聚焦離子束技術(shù)為芯片研發(fā)和芯片制造分析過程提供了至關(guān)重要的輔助支持。它
的基本原理是靜電透鏡聚焦的高能量鎵離子, 經(jīng)高壓電場加速后撞擊試片表面，在特定氣體協(xié)作下產(chǎn)生圖
像并移除或沉淀( 連接) 物質(zhì)。廣泛應(yīng)用于掩模修正、電路修改和失效分析。百靈威從美國STREM 公司引
進FIB 深層微沉積高純有機金屬源，品種多，包裝全，滿足您的不同需求。