上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.

尺寸: 直徑= 3.7“  高= 3”

放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a

操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體

特性：

1.可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最大限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極

2.寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率

3.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)

4.高效的等離子轉換和穩(wěn)定的功率控制

技術參數(shù):

* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder

應用領域:

1.離子輔助鍍膜 IAD

2.預清潔 Load lock preclean

3.In-situ preclean

4.Low-energy etching

5.III-V Semiconductors

6.Polymer Substrates

應用案例

1. 伯東 KRI 霍爾離子源 EH400 HC用于離子刻蝕 IBE

2. KRI 霍爾離子源 EH 3000 HC用于輔助天文望遠鏡鏡片鍍膜

3. 伯東 KRI 霍爾離子源 EH 4200輔助鍍膜 IBAD用于 PC 預清潔

4. KRI 考夫曼霍爾離子源輔助光學鍍膜

5. 伯東 KRI 霍爾離子源 EH 5500輔助手機殼顏色鍍膜

6. KRI 霍爾離子源 EH 3000HC成功應用于天文望遠鏡鏡片離子輔助鍍膜工藝IBAD

7. 伯東 KRI霍爾離子源在樣品清洗前處理中的應用