上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.

尺寸: 直徑= 3.7“  高= 3”

放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a

操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

特性：

1.可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極

2.寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率

3.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)

4.高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	eH 400 / eH 400 LEHO
供電	DC magnetic confinement
- 電壓	40-300 V VDC
- 離子源直徑	~ 4 cm
- 陽極結(jié)構(gòu)	模塊化
電源控制	eHx-3005A
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度	> 45° (hwhm)
- 陽極	標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved
- 水冷	前板水冷
- 底座	移動(dòng)或快接法蘭
- 高度	3.0'
- 直徑	3.7'
- 加工材料	金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體
- 工藝氣體	Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離	6-30”
- 自動(dòng)控制	控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

應(yīng)用領(lǐng)域:

1.離子輔助鍍膜 IAD

2.預(yù)清潔 Load lock preclean

3.In-situ preclean

4.Low-energy etching

5.III-V Semiconductors

6.Polymer Substrates

應(yīng)用案例

1. 伯東 KRI 霍爾離子源 EH400 HC用于離子刻蝕 IBE

2. KRI 霍爾離子源 EH 3000 HC用于輔助天文望遠(yuǎn)鏡鏡片鍍膜

3. 伯東 KRI 霍爾離子源 EH 4200輔助鍍膜 IBAD用于 PC 預(yù)清潔

4. KRI 考夫曼霍爾離子源輔助光學(xué)鍍膜

5. 伯東 KRI 霍爾離子源 EH 5500輔助手機(jī)殼顏色鍍膜

6. KRI 霍爾離子源 EH 3000HC成功應(yīng)用于天文望遠(yuǎn)鏡鏡片離子輔助鍍膜工藝IBAD

7. 伯東 KRI霍爾離子源在樣品清洗前處理中的應(yīng)用