上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特別適合大中型真空系統(tǒng), 帶有水冷方式, 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流. 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.

尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”

放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A

操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

伯東 KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性：

1.水冷 - 與 KRI 霍爾離子源 eh 1000 對(duì)比, 提供更高的離子輸出電流

2.可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 最大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極

3.寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率

4.多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便

5.高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

在售型號(hào)及技術(shù)參數(shù):

離子源型號(hào)	霍爾離子源 eH2000 eH2000LE eH2000HO
Cathode/Neutralizer	F or HC HC HC
電壓	50-300V 30-150V 50-250V
電流	10A 15A 15A
散射角度	>45
可充其他	Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
氣體流量	2-75sccm
高度	4.0“
直徑	5.7“
水冷	是

應(yīng)用領(lǐng)域：

1. 離子輔助鍍膜 IAD

2. 預(yù)清洗 Load lock preclean

3. 預(yù)清洗 In-situ preclean

4. Direct Deposition

5. Surface Modification

6. Low-energy etching

7. III-V Semiconductors

8. Polymer Substrates

應(yīng)用案例

1.伯東 KRI 霍爾離子源 EH400 HC用于離子刻蝕 IBE

2. KRI 霍爾離子源 EH 3000 HC用于輔助天文望遠(yuǎn)鏡鏡片鍍膜

3. 伯東 KRI 霍爾離子源 EH 4200輔助鍍膜 IBAD用于 PC 預(yù)清潔

4. KRI 考夫曼霍爾離子源輔助光學(xué)鍍膜

5. 伯東 KRI 霍爾離子源 EH 5500輔助手機(jī)殼顏色鍍膜

6. KRI 霍爾離子源 EH 3000HC成功應(yīng)用于天文望遠(yuǎn)鏡鏡片離子輔助鍍膜工藝IBAD

7. 伯東 KRI霍爾離子源在樣品清洗前處理中的應(yīng)用