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上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 40, 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射.
KRI 射頻離子源 RFICP 40 屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >100 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.
采用射頻技術(shù)產(chǎn)生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.
離子源采用模塊化設(shè)計, 方便清潔/ 保養(yǎng)/ 維修/ 安裝.
適用于集成在小型的真空腔體內(nèi).
特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計, 使用更簡單; 基座可調(diào)節(jié), 有效優(yōu)化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束
4. 離子源自動調(diào)節(jié)技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復(fù)的工藝運行
5. 柵極材質(zhì)鉬和石墨,堅固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性
技術(shù)參數(shù):
離子源型號
RFICP 40
Discharge
RFICP 射頻
離子束流
>100 mA
離子動能
100-1200 V
柵極直徑
4 cm Φ
離子束
聚焦, 平行, 散射
流量
3-10 sccm
通氣
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力
< 0.5m Torr
長度
12.7 cm
直徑
13.5 cm
中和器
LFN 2000
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
應(yīng)用領(lǐng)域：
1. 預(yù)清洗
2. 表面改性
3. 輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
4. 濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
5. 離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
6. 離子蝕刻 IBE