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上海伯東代理美國考夫曼博士設(shè)立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 100, 離子束可選聚焦, 平行, 散射.
KRI 射頻離子源屬于大面積射頻離子源 (柵網(wǎng)離子源), 離子束流: >350 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000. 流量(Typical flow):5-30 sccm
采用射頻技術(shù)產(chǎn)生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.
離子源采用模塊化設(shè)計, 方便清潔/ 保養(yǎng)/ 維修/ 安裝.
適用于離子濺鍍和離子蝕刻, 實現(xiàn)完美的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù):
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型號 |
RFICP 100 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>350 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
10 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
23.5 cm |
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直徑 |
19.1 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
伯東KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 預(yù)清洗
2. 表面改性
3. 輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD,
4. 濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
5. 離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
6. 離子蝕刻 IBE