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Hakuto 全自動(dòng)離子蝕刻機(jī) MEL3100 具有良好的均勻性和高蝕刻率, 刻蝕均勻度: ±5%, 硅片 Si 蝕刻速率 >10 nm/min, 具有高冷卻效果.
所有流程全自動(dòng)減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯(cuò)、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量.
占用空間小, 容易維護(hù)和用戶操作友好.
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：
1. 所有流程全自動(dòng)減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯(cuò)、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量
2. 盒式房間采用高效微粒過濾器
3. 采用高質(zhì)量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率
4. 占用空間小
5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機(jī)器人
6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上
7. 高冷卻效果
8. 良好的重復(fù)性和再現(xiàn)性的旋轉(zhuǎn)和傾斜階段具有良好的可重復(fù)性利用脈沖電動(dòng)機(jī)
9. 容易維護(hù)這個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)重點(diǎn)是容易維護(hù)和用戶友好
10. 關(guān)鍵部件服務(wù)伯東的經(jīng)銷商是系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應(yīng)時(shí)間和本地服務(wù)能力,減少停機(jī)時(shí)間的工具
技術(shù)參數(shù):
| Model | MEL3100 | Main body | |||
| Wafer size | 3"～6" |
Power Supply |
AC200V 3ph 40A | ||
| Wafer per batch | 1 wafer | *two lines | |||
| Cassette | No. | 25 wafers |
Cooling Water |
15 (l/min) | |
| Q'ty | 1pc. | <20℃ | |||
| Throughput | 10 (wafer/hr) *1 | CDA | 0.5 (MPa) | ||
| Pressure | Ultimate | 8×10-5 (Pa) *2 | >10 (l/min) | ||
| Process | 2×10-2 (Pa) *2 | N2 | 0.2 (MPa) | ||
| Etching | Rate | >10 (nm/min)@SiO2 *3 | >40 (l/min) | ||
| Uniformity | ±5%@132mm (6") *3 | Ar | 0.2 (MPa) | ||
| Wafer surface temp. | <100℃ *3 | 20 (sccm) | |||
| Stage rotating | 1～20 (rpm) ±5% | He | 0.2 (MPa) | ||
| Stage tilting | ±90°±0.5° | 20 (sccm) | |||
|
Dimension W×D×H (mm) |
Main body | 1,600×2,175×1,900 |
*need additional utilities for Dry pump |
||
| Controller | 640×610×1,900 | ||||
| Chiller | 555×515×1,025 | ||||
| Weight (kg) | Main body | 1,700 | |||
| Controller | 200 | ||||
| Chiller | 100 | ||||
| *1: Estimated process time 5min | |||||
| *2: No wafer on stege / process chamber | |||||
| *3: Depending on process | |||||
產(chǎn)品示意圖：
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