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上海伯東日本原裝進口適合中等規(guī)模量產(chǎn)使用的 Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C. 無論使用什么材料都可以用來加工.
蝕刻均勻性: ±5%, 硅片 Si 刻蝕速率 ≥ 20 nm/min, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0~±90度旋轉(zhuǎn), 因此射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等加工形狀.
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 主要優(yōu)點:
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國 KRI 考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設(shè)計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.
技術(shù)參數(shù):
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φ4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
可選 |
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樣品臺 |
樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0~±90度旋轉(zhuǎn) |
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離子源 |
20cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
±5% for 8”Ф |
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硅片 Si 刻蝕率 |
≥20 nm/min |
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溫度 |
<100 |
組成:
通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
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