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上海伯東日本原裝進(jìn)口適合小規(guī)模量產(chǎn)使用和實(shí)驗(yàn)室研究的 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE.
蝕刻均勻性: ±5%, 刻蝕速率: 20 nm/min, 樣品臺: 直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn).
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 內(nèi)部使用美國 KRI 考夫曼離子源產(chǎn)生轟擊離子;
終點(diǎn)檢出器采用 Pfeiffer 殘余氣體質(zhì)譜分析儀監(jiān)測當(dāng)前氣體成分, 判斷刻蝕情況.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 主要優(yōu)點(diǎn)
1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源.
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機(jī)臺設(shè)計(jì)使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過程.
技術(shù)參數(shù):
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基板尺寸 |
< Ф8 X 1wfr |
可選 |
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樣品臺 |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) |
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離子源 |
4 cm,8cm,10cm,16cm |
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均勻性 |
±5% for 4”Ф |
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硅片刻蝕速率 |
20 nm/min |
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溫度 |
<100 |
組成：
通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
