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上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設備中, 例如預清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設計, 低成本等優(yōu)點廣泛應用在顯微鏡領(lǐng)域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術(shù)參數(shù)：
型號 | KDC 10 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 1 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
- 柵極直徑 | 1cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
- 架構(gòu) | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 4.5' |
- 直徑 | 1.52' |
- 離子束 | 集中 |
平行 | |
散設 | |
-加工材料 | 金屬 |
電介質(zhì) | |
半導體 | |
-工藝氣體 | 惰性 |
活性 | |
混合 | |
-安裝距離 | 2-12” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應用領(lǐng)域：
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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